Uno de los frentes de las sanciones estadounidenses es la tecnología de producción de chips. Pero la agilidad de la potencia oriental ha ido encontrando otros caminos.
China está explorando formas de producir su propia memoria de gran ancho de banda (HBM), la próxima generación de chips de memoria diseñados para procesadores de inteligencia artificial (IA), mientras avanza en un esfuerzo de autosuficiencia de semiconductores en medio de las sanciones de Estados Unidos, dicen fuentes de la industria.
Aunque se trata de un objetivo difícil de alcanzar rápidamente, líderes mundiales como SK Hynix, Samsung Electronics y Micron Technology, dado el impacto de las sanciones de Washington y la determinación del Gobierno chino de que el país debe volverse autosuficiente en HBM, incluso pueden tomar años.
Aquellos dentro de la industria que están familiarizados con el asunto dijeron que el fabricante líder de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) de China, ChangXin Memory Technologies (CXMT), es la mejor esperanza del país para los HBM, pero que puede llevar hasta cuatro años llevar los productos al mercado. Algo se aclara: si CXMT u otros fabricantes de chips chinos deciden seguir adelante, se verán restringidos a utilizar tecnologías menos avanzadas para fabricar los potentes chips DRAM que tienen una gran demanda en todo el mundo. CXMT, con sede en Hefei, que supuestamente está planeando una oferta pública inicial este año basada en una valoración de 14.500 millones de dólares, no respondió a una solicitud de comentarios.
SK Hynix, considerada un líder tecnológico con una participación del 50% del mercado global, desarrolló el HBM3 en octubre de 2021 y comenzó su producción en masa en junio de 2022. La empresa coreana señaló en sus materiales promocionales que la tecnología HBM era un “requisito previo para los niveles 4 y 5 de la automatización de la conducción en vehículos autónomos”. En este contexto, se espera que la demanda de chips HBM crezca casi un 60% en 2023, ya que son la solución preferida para superar las restricciones de velocidad de transferencia de memoria debido a las limitaciones de ancho de banda, según un informe de la consultora de tecnología TrendForce.
En otro capítulo, SK Hynix anunció la semana pasada que había desarrollado con éxito HBM3E, la próxima generación de DRAM de vanguardia para aplicaciones de IA, y que estaba proporcionando muestras a un cliente para evaluaciones del rendimiento del producto. La producción en masa está prevista para la primera mitad de 2024 y, según se informa, clientes como las empresas estadounidenses de chips AMD y Nvidia hacen cola para adquirir el nuevo producto.
La disputa es tan importante que la administración Biden emitió una orden ejecutiva destinada a restringir las inversiones de capital de riesgo y de capital privado de Estados Unidos en empresas chinas.
Dentro de esta disputa, Nvidia ha establecido un nuevo estándar de la industria al utilizar chips HBM para acelerar las transferencias de datos entre unidades de procesamiento de gráficos (GPU) y pilas de memoria, según TrendForce. Su muy buscada unidad de procesamiento de gráficos (GPU) H100 cuenta con un sistema de memoria HBM3, que proporciona 3 terabytes por segundo de ancho de banda de memoria, según Nvidia.
De acuerdo con los medios chinos, HBM apila los chips de memoria verticalmente, como los pisos de un rascacielos, acortando efectivamente la distancia que la información tiene que recorrer. Estas torres de conjuntos de memoria se conectan a una CPU o GPU a través de una interconexión ultrarrápida llamada “intercalador”. En este mundo de competencia tecnológica, además de SK Hynix, otros jugadores dominantes en HBM son Samsung Electronics y la estadounidense Micron Technology.
Los expertos de la industria dijeron que a pesar de su alto rendimiento, la producción de chips HMB no requiere necesariamente tecnología de litografía de vanguardia, como herramientas ultravioleta extrema (EUV), lo que hace posible que China produzca sus propias versiones incluso sin los equipos más modernos. Debido a la necesidad de integrar múltiples chips verticalmente, se necesitan tecnologías de empaquetado de alta densidad como la vía de silicio (TSV), pero China tiene actores relativamente avanzados en este campo, como Jiangsu Changjiang Electronics Technology.
“No me sorprendería que CXMT estuviera haciendo sus propios esfuerzos en HMB”, dice a China News un ejecutivo de una empresa de controladores de chips de memoria. Informó que CXMT puede fabricar DRAM en el nodo de 17 a 19 nanómetros, varias generaciones por detrás de sus pares globales que están por debajo de 10 nm, similar a cómo China está produciendo chips lógicos de 28 nm.
Muchos se pierden al analizar que la disputa de Estados Unidos contra China es solo política o ideológica. Sueñan con un nuevo orden mundial, pero concluyentemente quienes ahondan en temas y frentes de disputa, la razón es la economía, la financiarización y la tecnología que define la cuestión política la mayor parte de las veces. Es cuando la miopía de que un Brics y un G-7 son políticamente antagónicos, cuando en realidad se trata de una disputa por la capital del mundo. Después de todo, ¿qué tiene Arabia Saudita con Brasil en términos de sociedad? La disputa entre ‘bloques virtuales’ es por los recursos financieros del mundo y para salir adelante de un nuevo proceso de desarrollo económico.
